VisEra 采鈺科技 LED介紹

VISERA 采鈺專屬之8吋晶圓級LED矽基封裝技術，並以此項技術提供高功率LED之封裝代工服務，對於有高性能需求、微型化以及具成本競爭力的固態式照明(solid-state lighting,SSL)領域之客戶，將甚有助益。

 8吋晶圓級LED矽基封裝技術是采鈺公司藉由近年來持續發展光學元件與模組所累積之核心技術，並結合精材科技開發之新型LED專用基板共同研發而成；技術應用範圍包含街燈、聚光燈、嵌燈、室內照明以及廣區域照明燈等。預估約有50%的照明市場將被高效節能之LED照明所取代，而晶圓級LED矽基封裝技術將扮演重要角色。

相較於傳統塑膠成型封裝或陶瓷封裝，采鈺的LED矽基封裝技術具有更優越的性能，經與精材科技所發展之LED封裝基板整合，利用其基板具有之高散熱，銅導線的電遷移抵制力，以及基板表面的高光萃取效率之特性後，相關技術可做到之最佳散熱特性，相較於業界約可降低至少 50%，可大幅延長元件的使用壽命，增加其耐用性與可靠度；此外，晶圓級製程的優點還包含，色溫的均勻性，可有效提升良率；適合微型化的半導體微機電製程，可因應市場與客戶需求，進一步縮小產品體積，降低產品成本；同時，除晶片封裝技術外，並可結合采鈺之光學設計能力，提供客戶全方位解決方案。采鈺的LED封裝技術所生產的模組，完全相容於現行LED產業的加工製程，可立即提供市場使用；所使用的材料亦完全依據RoHS (Restriction of Hazardous Substances)的規定，符合全球市場的對環境保護的要求。

VISERA產品優勢：

1.具有專利之微型化半導體微機電制程。
2.單晶LED封裝產品熱阻可低於2K/W，成品（燈具，手電筒）的溫度低，使用壽命長！（理論上熱阻降低1K/W，使用壽命將會延長1000H）
3.單顆1W亮度115lm以上可批量生產，實驗室已高達135lm/W。
4.透過矽晶穿孔，鑄模透鏡以及均勻螢光材料塗布等技術，能夠迅速量產並降低成本
5.有效降低結面溫度（<50 at Ta=25 ）
6.熱，電分離之設計

VISERA 3535與CREE-XPE的封裝形式一樣，可以直接替換。

VISERA 3145與Philips  lumileds rebel的封裝形式一樣，可以直接替換。

1.透過矽晶穿孔，鑄模透鏡以及均勻螢光材料塗布等技術，能夠迅速量產並降低成本
2.單晶LED封裝產品熱阻可低於2K/W，成品（燈具，手電筒）的溫度低，使用壽命長！（理論上熱阻降低1K/W，使用壽命將會延長1000H）
3.熱.電分離之設計

Visera矽基封裝基板特色

以半導體制程和微機電精密構裝技術為基礎，在一片6吋矽晶圓上製作各種不同結構與尺寸的封裝用基板，完成包括在黃光室所進行的顯影、蝕刻、蒸鍍及電鍍等制程，並完成微元件及電路製作於一體的矽封裝基板，為高效能光電整合元件和高密度積體電路產品提供體積更小、重量更輕、效能更高、具有快速散熱效能的微型光電整合元件。相較於陶瓷基板具有更好的熱傳導性以及低的熱膨脹係數，導熱效果更快，散熱能力更強，及更小的應力問題。

Visera矽基封裝基板之優勢

以Silicon為Base，有絕佳的熱傳導效應，可以降低LED的Junction temperature，延長LED壽命
具有Through Hole結構，將金屬導線引導至背面，可直接形成SMD元件
以半導體制程製作，無須開模﹔產品穩健，線寬控制準確，可大量生產
利用Cavity聚光並加上金屬的反射層達到較佳的光指向性與反射性

Visera矽基封裝LED

自動化量產的晶圓級封裝( Wafer Scale Package)LED，是在自有專利的矽晶圓封裝基板（Si Wafer Submount）上，將相對應尺寸的晶粒或Flip Chip直接貼合，以打線機連接或透過Chip與Submount上的bump，以銀膠或reflow的共金方式融合，達成高精度、快速黏合以及簡化均一制程的量產封裝方式。

采鈺科技憑藉著半導體製造的豐富經驗與精湛的製程技術，開發出的LED封裝技術擁有極佳的散熱特性、良好的色溫控制、以及可客製化的光學鏡頭，以此進入LED產業來提供LED封裝代工服務。藉由品質管理系統；持續改善計畫；長期內部訓練；稽核與檢定，采鈺科技能夠提供不間斷的品質改善來滿足客戶的需求。並透過產品工程服務，達到良率之控管，進而提升良率。對於不同客戶的需求，亦能配合以技術導入或客製化製程服務，來滿足客戶差異化的期望。

采鈺科技的研發團隊針對LED封裝技術，開發出以下特色的先進技術平臺：

• 單晶LED封裝產品可低至2C/W之熱阻
• 專利之微型化半導體微機電製程
• 透過矽晶穿孔、鑄模透鏡以及均勻螢光材料塗佈等技術，能夠迅速量產並降低成本
• 達到極低的介面溫度 junction temperature (< 50C at Ta=25C)